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过认证、低成本 | 65W-PD-2C1A氮化镓设计方案！

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2024-10-15
65W-PD-2C1A 氮化镓方案由主控芯片PN8783、同步整流芯片PN8307P、DC-DC降压芯片 NDP1460PQB和PD协议芯片XPD737+XPD767套片组合，实现三口输出，并支持功率自动分配，整套方案具有成本低，性能稳定，产品体积小，可满足客户认证要求。
 
一、2C1A氮化镓方案特性
1：USB-C1口单独使用 65W
输出规格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V3.25A:
2：USB-C2口单独使用 65W
输出规格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V3.25A
3：USB- A口单独使用 18W
输出规格： 5V3A  9V2A  12V1.5A
4：USB-C1+ USB-C2同时使用（45W+20W）
C1输出规格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  45WMAX
C2输出规格： 5V3A  9V2.22A  12V1.67A  20WMAX
5：USB-C1+ USB-A同时使用（45W+18W）
C1输出规格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  45WMAX
USB-A输出规格： 5V3A  9V2A  12V1.5A  18WMAX
6：USB-C2+ USB-A同时使用
共享：5V3A  MAX
7：USBC1+USB-C2+ USB-A同时使用
C1输出规格： 5V3A  9V3A  12V3A  15V3A  20V2.25A  MAX
C2+ USB-A共享：5V3A  MAX
 
二、芯片概述
主控芯片PN8783：PN8783系列采用SOP10/PP封装，内置高性能700V GaN FET，具有卓越的环路稳定性、高功率密度、低待机功耗等明显优势，同时在封装底部大面积敷铜散热，可以显著降低芯片温升。
 
同步整流芯片PN8307P：PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET，快速关断+自适应死区控制提高MOSFET Rdson利用率，显著降低温升，专利轻载模式可降低待机功耗，具有超高性价比。
 
DC-DC降压芯片 NDP1460：NDP1460PQB是一款集成MOS管的高效同步降压DC/DC转换器。其内部采用抖频、平均电流模式控制结构。能够连续提供高达7A的输出电流，具有出色的线性和负载调节能力。NDP1460PQB的输入电压范围从7.5V至30V，输出电压可调，范围从3.3V至29V。
 
PD协议芯片XPD737：XPD737内部集成 10mΩ VBUS 通路管，并且集成10mΩ电流检测电阻，支持完善的�；すδ�，降低外围元件数量，简化电路，降低成本。采用ESOP8封装。
 
PD协议芯片XPD767：XPD767集成了协议控制和VBUS开关以及复杂的控制逻辑，一颗芯片完成1A1C控制，通过XPD-LINK互联技术，两颗芯片即可组成2A1C的快充解决方案，并且无需添加复杂的外围电路。
 
三、DEMO实物图
 
美规折叠头，实物尺寸：56.64*53.13*28.91
 
四、输出特性
 
五、电路原理图
电路原理图（AC-DC 部分）
电路原理图（DC-DC 部分）
 
六、部分BOM清单
 
65W-PD-2C1A氮化镓方案，115Vac/60Hz-230Vac/50Hz待机功耗<75mW，平均效率>93.4%，因集成度高、性能卓越、方案成本优势明显，获得了众多厂家争相采用，更多方案规格、线路图纸、变压器设计、测试数据及应用要点请向骊微电子申请�！�
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