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ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D自举驱动芯片

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2023-05-23
　　近两年来，由于国外芯片的高价格和缺货等因素，很多厂商通过国产替代来解决项目缺料的问题，芯朋微旗下子公司无锡安趋电子专注功率驱动芯片及智能模块，推出11V-600V高、中、低压功率器件驱动芯片，广泛应用于家用电器、电动工具、通讯设备、风机与泵、电动车、步进电机、工业电机等领域。
 
　　
　　ID7S0230/ID1123D自举驱动芯片是单相高压功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，集成自举二极管，输入功率电压高达 36V，4.8-15V 宽范围工作电压范围，3A/3.5A 拉灌电流能力用于驱动高侧和低侧功率晶体管，可兼容替代ON/安森美NCP81155。
 
　　
　　ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D特点　　
　　■ 集成自举二极管　　
　　■ 输入功率电压高达36V　　
　　■ 4.8-15V 宽范围工作电压范围　　
　　■ 输入兼容 3.3V, 5V 逻辑工作电平　　
　　■ 3A/3.5A 拉灌电流能力　　
　　■ 自适应防直通功能
　　
　　ncp81155替代物料ID7S0230/ID1123D其浮地通道驱动设计能适应高达18V的BUS电压，可通过控制使能引脚(EN)为低电平来关断驱动器的输出。内部自适应死区电路可有效防止功率管共态导通并进一步降低了开关损耗。
 
　　
　　ID7S0230DEC-R1采用DFN3X 3-8L封装，ID1123D有DFN3×3-8L和SOP8两种封装，其引脚功能和电气参数等与ON/安森美NCP81155基本一致，在实际应用过程中ID7S0230/ID1123D可兼容替代ncp81155，广泛应用于电子烟、无线充电领域。
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