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充电ic芯片性能要求分析!
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锂离子电池因能量密度高，使得难以确保电池的安全性，所以，在使用可充锂电池时都会带有一块�；ぐ謇幢；さ缧镜陌踩�，锂离子电池的�；さ缏肥怯沙涞绫；C、及两颗Power-MOSFET所构成，其中充电ic芯片具有过度充电保护、过度放电�；ぁ⒐缌�/短路�；�，是用来�；わ绯氐缧景踩钠骷敲丛谘≡�充电ic时，又有那些性能的要求呢，下面跟随骊微小编一起来看看。
1、过度充电保护的高精密度化：当锂离子电池有过度充电状态时，为防止因温度上升所导致的内压上升，须截止充电状态。�；C将检测电池电压，当检测到过度充电时，则过度充电检测的功率MOSFET使之切断而截止充电。此时应注意的是过度充电的检测电压的高精密度化，在电池充电时，使电池充电到饱满的状态是使用者很关心的问题，同时兼顾到安全性问题，因此需要在达到容许电压时截止充电状态。要同时符合这两个条件，必须有高精密度的检测器，目前检测器的精密度为25mV，该精密度将有待于进一步提高。
2、降低保护IC的耗电：随着使用时间的增加，已充过电的锂离子电池电压会逐渐降低，最后低到规格标准值以下，此时就需要再度充电。若未充电而继续使用，可能造成由于过度放电而使电池不能继续使用。为防止过度放电，保护IC必须检测电池电压，一旦达到过度放电检测电压以下，就得使放电一方的功率MOSFET切断而截止放电。但此时电池本身仍有自然放电及�；C的消耗电流存在，因此需要使�；C消耗的电流降到最低程度�！�
3、过电流/短路�；ば栌械图觳獾缪辜案呔芏鹊囊螅�因不明原因导致短路时必须立即停止放电。过电流的检测是以功率MOSFET的Rds（on）为感应阻抗，以监视其电压的下降，此时的电压若比过电流检测电压还高时即停止放电。为了使功率MOSFET的Rds（on）在充电电流与放电电流时有效应用，需使该阻抗值尽量低，目前该阻抗约为20mΩ~30mΩ，这样过电流检测电压就可较低�！ �
4、耐高电压：电池包与充电器连接时瞬间会有高压产生，因此�；C应满足耐高压的要求�！�
5、低电池功耗：在�；ぷ刺保渚蔡牡缌鞅匦胍�0.1μA.
6、零伏可充电：有些电池在存放的过程中可能因为放太久或不正常的原因导致电压低到0V，故�；C需要在0V时也可以实现充电。
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