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PN8308H内置mos开关电源同步整流芯片

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2019-03-26
　　在过去同步整流都是同步整流控制器+外置同步TO-220封装的N沟道MOS管来实现开关电源的同步整流，现采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，如骊微电子代理的PN8308H内置mos开关电源同步整流芯片。
 
　　
　　PN8308H内置mos同步整流芯片适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：　　
　　易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；　　
　　EMC性能卓越：独特电流跟踪技术显著降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；　　
　　可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；　　
　　全面的智能�；すδ埽篣VLO、防误开启、防误关断功能。
 
　　
　　PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降极低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
　　
　　PN8308H内置mos同步整流芯片电流跟踪关断技术内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，通过内置Tonmin、Toffmin，增加SR开通限制条件等措施彻底避免SR误开通造成的直通问题，内部集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压�；�、最小导通时间等功能，兼容全模式CCM，DCM和QR。
 
　　
　　PN8308H应用于9V/12V输出适配器上大大减少了开关电源输出端的整流损耗，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热，在中大功率等级的应用中能有特别明显的区别。
　　
　　随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，PN8308内置mos开关电源同步整流芯片因外围精简、EMC性能卓越、支持任意工作模式、贴片封装并无需散热片，实现电源小型化，并降低系统成本，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。
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