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SDH8594AS内置高压MOS管的原边控制芯片
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随着小型充电器向着更低的低待机功耗和更高的能量转换效率发展，士兰微电子推出SDH8594AS内置高压MOS管的原边控制芯片，SDH8594AS原边反馈电源芯片采用PFM调制技术，实现精确的恒压/恒流（CV/CC）控制，效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准。
SDH8594AS内置了高压MOS管，使用了自有的专利技术来实现高压启动功能，降低待机功耗以及提高转换效率，具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能，可以确保精准的恒压/恒流（CV/CC）性能，在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下，具有极佳的动态响应性能。
此外，电路内部集成了VCC欠压/过压�；�、输出短路保护、输出过压�；�、过温�；ぁ⑼獠吭骷�/短路�；さ榷嘀乇；すδ�，以保证电路在整机生产和应用时的安全性和可靠性，延长其使用寿命。
SDH8594AS采用PSR反馈控制技术，无需外部光耦和431器件，并且环路补偿电容内置，极大的简化了外围，仅需极少的外围元器件即可构成完整的电源系统，大幅节省了系统耗电并缩小了电路板体积，有利于用户精简设计布局，降低开发和制造成本。同时，电路采用SOP7贴片封装形式，可以满足最高5V/2.4A的输出功率的小型化应用。
骊微电子士兰微一级代理商，产品覆盖MOSFET、AC-DC、DC-DC等系列，SDH8594AS隔离反激PSR 10W 5V/2A 600V/2.8Ω 60mW SOP7是基于士兰微电子自行研发的0.8微米BiCMOS工艺制程设计及制作，工作电压规�？恚芙臙SD才能强，具有高靠得住性，广泛适用于手机充电器、小功率适配器及其他便携式设备充电器。
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