RDN8804可替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ

字号：T|T

文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2021-06-10

　　RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET采用最新的沟道处理技术，以实现高单元密度和低栅电荷降低导通电阻。这些特点结合起来，使这种设计成为一个非常有效和可靠的设备，用于大电流负载应用。

　　RDN8804 特点　　

　　●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)　　

　　●高密度电池设计，超低Rdson　　

　　●全特性雪崩电压和电流

　　管脚描述

　　应用领域　　

　　● 大电流应用中的负载开关　　

　　● 逆变器系统的电源管理　　

　　● 电池�；�

　　RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET可以直接替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ，更多RDN8804 mos产品手册或者详细资料请向骊微电子申请。>>

成都逍遥耍耍网论坛,天津-凤江湖论坛春风阁(全国信息) ,一品香论坛登录入口风楼阁交友平台 ,快活林信息发布论坛汇总