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锂电池mos管，30-40V低压mos系列!

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2022-10-14
　　锂电池作为目前市场上应用最为广泛的储能方式，给人们的生产生活带来了极大的舒适和便利，但锂电池经过长时间使用后，容量降低、内阻增大，长时间大内阻运行将导致电池发热严重，带来安全隐患，MOSFET作为锂电�；ぐ宓暮诵墓β士仄骷�，其性能好坏直接影响锂电�；ぐ宓墓ぷ骺煽啃�，选择合适的锂电池mos管让锂电�；びτ蒙杓聘涌煽扛咝�。
　　
　　30V常用锂电mos管型号主要有：SVG030R7NL5、SVG031R1NL5、SVG031R7NL5、SVG032R4NL5等，采用PDFN-8-5X6封装，并已大批量量产，典型应用于电源市场同步整流、小功率电机/电动工具、电子烟、锂电分容柜等不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
　　
　　SVG030R7NL5 30v大电流mos管：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：282A，导通电阻RDs(on)(典型值)=0.7mΩ@VGs=10V，具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。　
　
　　SVG031R1NL5 30V低压mos管：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：229A，导通电阻RDs(on)(典型值)=1.1mΩ@VGs=10V�！　�
 
　　SVG031R7NL5 30v贴片mos管：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：138A，导通电阻RDs(on)(典型值)=1.7mΩ@VGs=10V。　
　
　　SVG032R4NL5耐压30v mos管：采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=30V，漏极电流Tc=25℃：100A，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.4mΩ@VGs=10V。
　　
　　40V低压锂电池mos管系列主要有：SVG041R2NL5、SVG042R1NL5、SVG042R5NL5等采用SGT LVMOS工艺，均是PDFN56封装；SVT042R5NT、SVT043R0NL5、SVT044R5NL5等采用LVMOS工艺，有TO220、PDFN56等多种封装，导通电阻RDS(on)(典型值)范围1.2mΩ-4.5mΩ，多种封装形式可选，广泛应用于各类锂电池�；つ？�、数码产品电源管理、消费类电子产品电源、电机等。
　　
　　40V锂电池mos管系列选型表
型号 电压V 内阻mΩ max 封装
SVG041R2NL5 40 1.2 PDFN56
SVG042R1NL5 40 2.1 PDFN56
SVG042R5NL5 40 2.5 PDFN56
SVT041R7NT 40 1.7 TO220
SVT042R5NT 40 2.5 TO220
SVT042R5NL5 40 2.4 PDFN56
SVT043R0NL5 40 3.0 PDFN56
SVT044R5NL5 40 4.5 PDFN56
SVT044R5NT 40 4.5 TO220
　　
　　30-40V低压MOS系列主要针对电源领域、电池�；�、电机驱动等应用开发，广泛应用于各类锂电池�；つ？�、数码产品电源管理、消费类电子产品电源、电机等。MOS管在锂电池的应用中主要有检测过充电、检测过放电、检测充电时过电电流、检测充电时过电电流、检测短路时过电电流等功能，30-40V低压锂电池mos管产品，能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求，更多低压、高压、超结mos产品手册等资料可向士兰微mos代理商骊微电子申请。>>

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