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ir2110驱动替代料ID7S625高压半桥驱动芯片

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2022-05-10
　　IR2110驱动是大功率MOSFET和IGBT专用栅极驱动集成电路，已在电源变换、马达调速等功率驱动领域中获得了广泛的应用，ir2110驱动替代料ID7S625高压半桥驱动芯片不仅简化了系统电路，更提高了电路效率，实现了电路结构的高频化、小型化。
　　
　　ir2110替代芯片ID7S625特性　　
　　■ 高侧浮动偏移电压600V　　
　　■ 输入逻辑兼容3.3V/5V/15V　　
　　■ 自举工作的浮地通道　　
　　■ 芯片工作电压范围10V一20V　　
　　■ 所有通道均具有欠压保护功能(UVLO)　　
　　■ 输出电流能力2.5A　　
　　■ 所有通道均有延时匹配功能
　　
　　ir2110驱动替代料ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片具有体积�。ú捎肳SOP-16封装）、集成度高（可用于驱动一个N沟道功率MOSFE或IGBT半桥拓扑结构），响应快（dV/dt 75 V/ns），驱动能力强（IO+/IO 2.5/2.5 A）等优点，内置欠压保护、延时匹配功能可以为更好的适配高频应用。
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