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PN8370_2.4A充电器IC方案

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文章出处：骊微电子责任编辑：admin人气：-发表时间：2018-03-31 11:39

PN8370产品描述：
PN8370集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8370为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）

小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的RCS电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能�；すδ�，包含逐周期过流�；�、过压�；ぁ⒖繁；ぁ⒐卤；�、输出短路�；ず虲S开/短路�；さ�。

PN8370产品特点：

内置650V高雪崩能力智能功率MOSFETyle="white-space:pre">

内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）yle="white-space:pre">

采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准yle="white-space:pre">

全电压输入范围±5%的CC/CV精度yle="white-space:pre"> 封装/订购信息

原边反馈可省光耦和TL431yle="white-space:pre">

恒压、恒流、输出线补偿外部可调yle="white-space:pre">

无需额外补偿电容yle="white-space:pre">

无音频噪声yle="white-space:pre">

智能�；すδ�yle="white-space:pre">

过温�；� (OTP)

VDD欠压&过压�；� (UVLO&OVP)