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当氮化镓遇上了USB PD普及，风口即将来临！
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GaN中文名氮化镓，是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温等多种优点，被誉为第三代半导体材料，而将GaN氮化镓功率器件导入到充电器中，将会给体积带来显著变化，帮助到快充实现轻薄化、小型化，常见于USB PD快充等中高阶产品中，可以在超小的体积上实现大功率输出，改变行业设计制造方案、改变消费者使用习惯。
据相关数据显示统计，2019年，搭载USB Type-C接口的设备出货量预计将达到20亿台。其中USB Type-C在笔记本、台式电脑中的渗透率将达到80%，在智能手机和平板电脑等产品中的渗透率也将达到50%。未来，所有使用USB的设备皆有可能统一为Type-C，这一次，氮化镓遇上了USB PD普及，风口即将来临。
不过目前氮化镓充电器正从实验室走向市场，面临着商用化的挑战，价格极贵，后期将随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等，会逐渐走向平民化，而最终也将会取代传统的硅基功率器件，在氮化镓充电器尚未普及之前，让我们先了解下基于N8161+PN8307H的18W PD快充电源应用方案。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
18W PD快充方案亮点：
节省10颗以上外围：无启动电阻、无CS侦测网络，原副边均实现SOP8功率集成；
满足CoC V5 Tier 2：专利高压启动，实现30mW待机功耗；工作曲线随输出电压自适应，不同输出电压下平均效率裕量均大于4个点；
EMC性能卓越：抖频幅度随负载自适应，改善传导；DCM/QR工作模式，避免次级整流管反向恢复问题，改善辐射；
3.3~12V宽输出电压范围：PN8161/PN8307H供电范围宽，无需额外LDO稳压；
协议芯片任意搭：SSR架构，方案易满足PD3.0/QuickCharge 4+。
在参数方面，18W PD快充充电器方案支持90~265Vac范围的交流电压输入，拥有市电Brown in/out、输出过压�；�、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等，USB-C口支持最大18W输出，输出规格支持12V1.5A；9V2A；5V3A，满足CoC V5-2，4个点裕量，可为手机、笔记本、游戏机等设备匹配最佳充电电压，如果需要产品的详细手册或其他资料，可向骊微电子申请。>>
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