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深圳市骊微电子科技有限公司
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PN8161概述：
PN8161 快充充电器芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化�；すδ�，包括输出过压�；ぁ⒅芷谑焦鞅；�、过载�；ぁ⑷砥舳δ�。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 最高开关频率125kHz
■ 外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
过温�；� (OTP)
输出过压�；ぁ �
逐周期过流�；� (OCP)
输出开/短路保护
次级整流管短路�；ぁ �
过负载保护（OLP）
PN8161封装/ 订购信息：
注：PN8161最大输出功率是在环境温度 40℃ 的密闭式应用情形下测试。
PN8161典型应用电路：
为了更好体现 PN8161 的性能，请务必遵守以下规则：
1. VDD 电容 EC1 应放置在距离 VDD 引脚和 GND 引脚最近的地方�！ �
2. PN8161 GND 引脚到输入电解电容地的走线尽量短而粗。
PN8161 快充充电器芯片应用领域：
PN8161 快充充电器芯片应用领域：
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
■ 适配器
■ 开放式开关电源
