节省外围的PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电ic方案

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文章出处：骊微电子责任编辑：admin人气：-发表时间：2018-09-05 09:53

　　PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电方案，拥有外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐�！　�

　　PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源�！　�

　　PN8306M集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。

　　PN8370M+PN8306M方案亮点：　　

　　外围简洁（节省8颗元件）:PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。　　

　　高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显著提高系统安规能力，接触静电高达15kV；c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。　　

　　低待机功耗:PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。

　　PN8370M+PN8306M应用Q&A ：　　

　　Q1: PN8306M是否需要外并二极管提高稳定性？　　

　　A1: PN8306M产品定位是做好PSR的配角，无需外并二极管　　

　　a. PN8306M的供电欠压�；さ�(2.8V)低于PN8370M的输出欠压�；さ�(3.1V)，异常工况下，PN8370主导方案所有�；ぁ！　�

　　b. PN8306M内部自适应Ton,min，SR关断点滞后于PN8370M的原边采样点，彻底避免小载不稳定问题。

　　Q2: PN8306M如何提高方案的安规能力？　　

　　A2:得益于以下独特设计，VCC脚外挂0.1uF去耦电容，系统静电能力可提高至接触15kV　　

　　a. PN8306M内部集成高雪崩能力MOSFET�！　�

　　b. HBM ESD大于4kV，Latchup电流大于400mA，显著提高芯片抗异常电压/电流冲击能力。

　　Q3: 方案如何避免PSR与SR直通问题？　　

　　A3: PN8370M+PN8306M以三道防线彻底解决直通问题　　

　　第一道：PN8306M基于面积法的防振铃误开通算法可有效避免SR被振铃干扰误开通�！　�

　　第二道：PN8370M采用专利跳谷底开通算法，PSR开通点与SR振铃可能误开通点相位上错开180度，有效避免直通�！　�

　　第三道： PN8370M内部的智能MOSFET上含有电流采样管，即使直通也可快速精准�；�，避免电源损坏。

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