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MOS驱动电流计算的三种方法
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在光耦驱动的电路中，针对MOS管的驱动电流是需要特别进行估算的。当然估算的方式不止一种，一般常用的估算方式有3种方式，本文就将对这三种估算方式进行介绍。并对每种估算方式进行讲解，感兴趣的朋友快来看一看吧。
公式估算法
可以使用如下公式对MOS管的驱动电流进行估算：
Ig=Qg/Ton
其中：Ton=t3-t0≈td（on）+tr
td（on）：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%，开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。
Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）。
公式估算法的变形
密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；
曲线估算发
以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条TotalGateCharge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。水平那段是管子开通（密勒效应）。假定设计者希望在0.2us内使管开通，估计总时间（先上升然后水平再上升）为0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得：67nC/0.4us=0.1675A。当然这是峰值，仅在管子开通和关短的各0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出此峰值，管子的开通就会变慢。
本文主要为大家介绍了3种目前较为常见的对于光耦应用中MOS管进行估算的方法。每种方法都有其自身的特点，根据不同的情况，设计者可以根据公式或曲线模式来对MOS管的取值进行估算。
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