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深圳市骊微电子科技有限公司
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PN8307M概述：
PN8307M包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压�；�、最小导通时间等功能。
PN8307M产品特征：
■ 内置20mT86; 80V Trench MOSFET
■ 适用于3.6V-20V宽供电范围工作
■ 适用于DCM和QR工作模式
■ 自适应次级电流检测电路
■ 优异全面的辅助功能
欠压�；ぁ �
防误开启
最小导通时间
PN8307M封装/订购信息：
PN8307M典型功率：
PN8307M典型应用电路：
外围参数选择参考：
为了更好体现 PN8307M 的性能，请务必遵守以下规则：
1. 为满足系统更高可靠性的要求，建议在芯片外围增加电阻 R1 和电容 C1。
2. 从 Vout 输出经电阻 R1 到 VCC 的引线先到 VCC 电容 C1 再到 VCC 引脚�！ �
3. VCC 电容 C1 应放置在距离 VCC 引脚和 GND 引脚最近的地方。
